品类概述
金属薄膜沉积材料是半导体薄膜制程核心源材，包含各类高纯金属靶材、金属有机前驱体、金属蒸发颗粒等，借助物理 / 化学沉积工艺在硅片、化合物衬底表面生成均匀致密金属薄膜。
材料采用超高纯金属提纯工艺，杂质含量极低，薄膜具备稳定导电、阻挡扩散、粘附衬底等性能，可实现多层金属互连、器件欧姆接触、防金属扩散阻挡层、封装焊盘电极等核心功能。。
核心特征
- 超高纯度基底金属 —— 金属纯度 99.99%~99.9999%，杂质离子少，降低器件漏电缺陷
- 薄膜均匀致密性 —— 沉积后膜层厚薄差小，台阶覆盖能力优异，适配高深宽比通孔 / 沟槽
- 优异扩散阻挡能力 ——Ta/Ti/W 系薄膜隔绝铜与硅基底互扩散，避免器件失效
- 低电阻率导电性能 ——Cu/Al 金属薄膜导通损耗低，满足高速芯片互连信号传输需求
- 强衬底粘附性 —— 钛、钴过渡层提升金属膜与氧化硅、硅、SiC 衬底结合力，无起皮脱落
技术参数
参数项
典型范围
金属品类
Cu、Al、W、Ti、Ta、Co、Ni、Au、Pt、TiN、TaN 合金
金属纯度
4N ~ 6N（99.99% ~ 99.9999%）
适用沉积工艺
PVD 磁控溅射、CVD 化学沉积、ALD 原子层沉积、电子束蒸发
薄膜厚度区间
5nm ~ 3μm
方块电阻范围
0.05 ~ 1000 Ω/□（随金属与厚度变化）
工作温度区间
室温～500℃
适用衬底
硅片、SiC/GaN、SOI、氧化硅、氮化硅、玻璃、PI 封装基底
合作品牌
【美国 Materion】
主营蒸镀靶材、溅射靶材，各类高纯金属、合金靶材是磁控溅射、热蒸镀制备金属导电薄膜的核心原料，适配半导体电极、MEMS 金属布线薄膜制备，可产出均匀致密金属膜层。
【日本 Nippon】
日本高纯金属靶材龙头，自研 6N 超高纯铜、钽、钛、钴溅射靶材，全产业链一体化生产。可沉积布线、阻挡层、封装金属薄膜，适配先进制程芯片、MEMS，成膜均匀杂质少，全球晶圆厂主流金属薄膜原料供应商。
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应用领域
先进 IC 逻辑 / 存储芯片
多层铜互连、钨接触孔、钛钽扩散阻挡层、铝焊盘布线
功率半导体器件
SiC/GaN 功率器件欧姆接触金属、栅极金属、功率电极薄膜
先进封装制程
RDL 重布线金属层、UBM 凸点底层金属、晶圆键合导电层
射频 / 化合物半导体
GaAs 射频器件金属电极、欧姆接触、屏蔽金属薄膜
掩模版与分立器件
分立二极管三极管接触金属、光掩模遮光金属薄膜
科研微纳加工平台
实验室薄膜沉积试样、新型金属互连工艺研发验证
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