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半导体刻蚀工艺材料-金属刻蚀
刻蚀工艺材料

金属刻蚀

半导体金属图形化核心蚀刻耗材,包含干法等离子特种工艺气体、湿法金属蚀刻药液,精准刻蚀铜、铝、钨、钛、钴等金属薄膜,实现高精度布线、接触孔、阻挡层图形转移。

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半导体材料(CMP)-基片
半导体材料

基片

CMP 基片是化学机械抛光工艺中的承载与支撑材料,用于固定晶圆、传递压力、控制晶圆面型与温度分布,影响抛光均匀性、平坦度和良率表现。

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化学机械抛光材料·CMP抛光垫
化学机械抛光材料

CPM抛光垫

半导体化学机械平坦化核心工艺耗材,依托多孔聚氨酯 / 无纺布复合结构承载抛光液、传递机械研磨力,完成晶圆介质、金属、硅基底全局平坦化,是先进制程良率关键耗材。

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薄膜沉积材料·介质薄膜
薄膜沉积工艺材料

介质薄膜

半导体绝缘与薄膜钝化核心材料,通过 PVD/CVD/ALD 等工艺在晶圆表面制备绝缘、隔离、钝化和应力调控薄膜,是芯片互连、栅介质、层间绝缘与先进封装制程的关键基础材料。

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薄膜沉积材料·金属薄膜
半导体材料

金属薄膜

半导体薄膜沉积核心金属源材,通过 PVD/CVD/ALD 工艺在晶圆表面制备导电、阻挡、互连金属薄层,是芯片布线、接触孔、电极制程的基础材料。

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抛光液
化学机械抛光材料

抛光液

半导体化学机械抛光核心耗材,依靠纳米磨粒研磨与化学助剂协同作用完成晶圆全局平坦化,是多层金属互连、先进制程良率管控的关键电子化学品,广泛适配晶圆制造、功率器件、先进封装、光电子衬底全工序。

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光刻工艺材料

光刻胶

半导体光刻核心感光材料,通过紫外/电子束曝光实现晶圆表面电路图形转移,是芯片微纳图形化、制程精度、良率管控的核心基础耗材,广泛适配晶圆制造、先进封装、微纳科研全工序。

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半导体材料

双氧水

半导体制造中用量最大的湿法化学品,凭借强氧化性实现晶圆清洗、表面处理与精密蚀刻。

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