品类概述
CMP 抛光垫是芯片制造 CMP 平坦化工序专用核心耗材，主体分为硬质聚氨酯抛光垫与柔性无纺布精抛垫两大体系，搭配复合多层结构适配不同工艺节点。
材料内部可控发泡形成均匀微孔，配合表面精密沟槽实现抛光液均匀输送、研磨碎屑快速排出，稳定控制材料去除速率、晶圆片内均匀性与全局平坦度，降低划痕、碟形凹陷、侵蚀等制程缺陷。
核心特征
- 精准可控多孔结构 —— 孔径、孔隙率标准化调控，稳定储存输送抛光液，维持持续稳定研磨效率
- 分级硬度适配工艺 —— 高刚性硬垫高效消除晶圆台阶高度；高弹性软垫贴合超薄薄膜，减少划伤缺陷
- 定制沟槽流体设计 —— 多种开槽结构优化浆料循环，快速带走研磨副产物，避免局部干磨损伤晶圆
- 长效耐磨稳定基体 —— 抗金刚石修整盘磨损，长周期加工后去除速率波动小，降低换垫频次与生产成本
- 低污染高纯基材 —— 无金属杂质析出，适配 EUV 先进节点、低 k 介质等高敏感薄膜抛光工艺
技术参数
参数项
典型范围
材质分类
硬质聚氨酯垫、无纺布软垫、多层复合垫、阻尼缓冲垫
适用晶圆尺寸
150mm/200mm/300mm（6/8/12 寸）、SiC/GaN 特殊衬底
邵氏硬度
硬垫 D55\70；软垫 D30\45；缓冲垫 A60~90
厚度规格
0.8mm ~ 3.2mm（可定制）
沟槽样式
螺旋、网格、圆环、直线、无槽精抛款
压缩回弹率
软垫≥85%；硬垫 30%~60%
单次加工寿命
硬垫 500\2000 片晶圆；精抛软垫 1000\3000 片晶圆
适用抛光对象
SiO₂介质、Si₃N₄、金属 Cu/W/Co、硅基底、SiC 衬底、低 k 薄膜
储存条件
常温避光密封存放，防潮挤压、避免表面划伤污染
合作品牌
【杜邦 Nitta】
全球标杆抛光垫，IC1000 硬质系列、Politex 精抛软垫，适配全节点逻辑存储产线。
【富士纺 Fujibo】
无纺布阻尼软垫龙头，低划伤，多用于铜互连、低 k 薄膜最终精抛。
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应用领域
先进逻辑 / 存储芯片
STI 浅沟槽隔离、层间介质 ILD、钨通孔、铜互连粗抛与阻挡层抛光。
功率半导体器件
SiC/GaN 碳化硅衬底、金属电极、钝化介质层平坦化加工。
先进封装制程
RDL 重布线金属层、晶圆凸点基底、封装介质薄膜精抛处理。
MEMS 与光电子器件
微流控衬底、光学硅片、传感器薄膜低缺陷精抛工艺。
科研微纳加工平台
实验室小尺寸晶圆、新型薄膜材料抛光工艺试样验证。
分立器件与模拟芯片
硅片基底、金属接触层、钝化膜全局平坦化量产配套。
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