品类概述
抛光液是芯片 CMP 平坦化工序不可或缺的专用浆料，由纳米研磨颗粒、氧化剂、螯合剂、分散稳定剂、pH 调节剂复配而成。在抛光垫压力与高速旋转作用下，同步实现机械研磨与化学腐蚀，削平晶圆薄膜高低落差，保障多层布线、光刻前基底平整。
核心特征
- 全材质配方覆盖：介电层、金属层、宽禁带衬底、封装基底专用抛光液齐全，按需匹配不同制程需求
- 超低表面缺陷：磨粒分散稳定，大幅减少晶圆划痕、点缺陷、金属残留，提升芯片良率
- 可控高选择比：精准调控不同薄膜去除速率，降低碟形、侵蚀等平坦化不良
- 设备兼容性强：适配各品牌国产 / 进口 CMP 抛光机，可直接上机使用
- 配套耗材一体化：同步供应抛光后清洗液、抛光垫、修整盘，整套 CMP 耗材一站式配套
技术参数
参数项
典型范围
磨粒材质
SiO₂、Al₂O₃、复合改性纳米颗粒
适配基材
氧化硅、铜、钨、SiC、GaN、蓝宝石
粗糙度控制
Ra ≤ 0.1~1nm（依型号）
储存条件
5～30℃避光密封，避免低温结冰
适配尺寸
6/8/12 英寸晶圆、各类半导体衬底
应用等级
科研精密级、中试小批量、大规模量产级
合作品牌
【杜邦（DuPont）】
美国头部光刻材料企业，覆盖 G/I 线、KrF、ArF、EUV 全波段光刻胶，配套 BARC、SOC 及光刻辅材。拥有环保无氟光刻胶与 3nm EUV 胶核心技术，适配逻辑、存储、功率芯片量产，全球建有量产基地，为高端晶圆厂提供全套光刻材料方案。
【默克（Merck）】
德国综合电子材料厂商，收购 AZ 后拥有成熟制程光刻胶全系列，同时深耕电子束、HSQ 无机特种光刻胶。配套剥离、清洗全套化学品，优势覆盖先进封装、MEMS、量子芯片微纳加工，兼顾产线量产与科研试制场景。
即刻联系我们，了解更多信息......
应用领域
逻辑 / 存储芯片制造
STI 浅沟槽隔离、多层铜互连、钨接触孔 CMP 平坦化
功率半导体制造
SiC、GaN 衬底精密抛光、功率器件金属层平整加工
先进封装制程
晶圆级封装、RDL 重布线、凸点基底全局平坦化
光电子与传感器
蓝宝石、光学晶圆、MEMS 衬底超精密抛光
科研院校研发
微纳加工平台衬底试样、新型抛光工艺验证
中试试制产线
新工艺调试、国产抛光液替代验证、小批量样品加工
**注：因产品迭代优化，网站展示参数可能存在微调，产品/设备的真实性能及各项技术参数以实际确认、交付为准。