品类概述
CMP 基片是半导体化学机械抛光设备中的关键支撑构件，通常位于晶圆背面或承载结构下方，为晶圆提供稳定的平面支撑和均匀压力分布。
在抛光过程中，基片需要承受机械压力、抛光液侵蚀、温度变化和相对运动摩擦，因此材料必须具备高刚性、高平面度、低膨胀、耐腐蚀和良好热传导性能。
核心特征
- 主要类型：陶瓷基片、玻璃基片、石英基片、碳化硅基片、氧化铝基片、复合树脂基片
- 核心功能：晶圆承载、压力传递、面型控制、温度传导、平整度支撑
- 关键指标：平面度、平行度、表面粗糙度、硬度、热导率、耐化学腐蚀性
- 适用工艺：氧化硅介质抛光、金属抛光、硅片抛光、SiC/GaN 衬底抛光、先进封装抛光
技术参数
参数项
典型范围
材料体系
氧化铝 Al₂O₃、碳化硅 SiC、石英 SiO₂、玻璃、复合树脂、陶瓷复合材料
适用晶圆尺寸
150mm / 200mm / 300mm，6 寸 / 8 寸 / 12 寸，特殊衬底可定制
平面度
≤ 0.1mm，高精度级别可达 ≤ 0.02mm
平行度
≤ 0.1mm，高精度级别可达 ≤ 0.03mm
表面粗糙度
Ra 0.05μm ~ 1.6μm，依工艺需求选择
邵氏硬度 / 莫氏硬度
陶瓷类：莫氏 6 ~ 9；树脂复合类：邵氏 D 70 ~ 90
热导率
陶瓷类：10 ~ 200 W/(m・K)；石英 / 玻璃类：1 ~ 5W/(m・K)
耐受介质
酸性抛光液、碱性抛光液、含 SiO₂/CeO₂/Al₂O₃磨粒浆料
安装方式
真空吸附、机械夹持、粘接固定、复合承载结构
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合作品牌
【美国 Ultrasil】
专注 SOI 基片、硅片研发制造，提供多规格绝缘层硅衬底，适配微纳加工、微电子与光刻工艺，衬底均匀性、界面质量优异，广泛用于 MEMS、芯片研发。
【日本 E&M】
主营各类硅片衬底产品，覆盖不同晶向、厚度硅基片，适配半导体、电子束光刻、微流控等实验与量产场景，供货稳定，适配中小批量研发需求。
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应用领域
氧化硅介质抛光
用于 ILD 层、STI 浅沟槽隔离、钝化层平坦化支撑。
金属薄膜抛光
适配铜、钨、钴、铝等金属互连和阻挡层抛光工艺。
硅片与衬底抛光
用于硅基底、SiC、GaN、蓝宝石等衬底减薄与平坦化。
先进封装制程
用于晶圆级封装、RDL 重布线、凸点基底和薄晶圆支撑。
存储与逻辑芯片
适配高密度互连、多层金属结构和先进节点平坦化。
科研微纳加工平台
用于小批量试样、新型衬底、薄膜材料和工艺验证。
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