品类概述
介质薄膜沉积材料是半导体薄膜制程中的核心绝缘材料，主要包含氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物以及低介电常数、高介电常数等材料体系。
该类材料通过物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积等方式，在硅片、化合物半导体、金属薄膜或封装基底表面形成均匀、致密、绝缘性能稳定的薄膜层。
核心特征
- 高绝缘性能——具备稳定高阻特性，降低器件漏电与金属层间串扰，支持高密度互连结构。
- 薄膜均匀致密——沉积后膜层厚薄差小，表面平整度高，适用于高深宽比结构与多层薄膜堆叠。
- 优异钝化保护——可形成防潮、防污染、防机械损伤的表面保护层，提升器件长期可靠性
- 低 k 与高 k 材料覆盖——低 k 介质降低互连电容和信号延迟，高 k 介质提升栅极控制与器件性能。
- 良好台阶覆盖——适配复杂晶圆 topography，减少沟槽、通孔和密集布线区域的薄膜覆盖缺陷。
技术参数
参数项
典型范围
材料体系
SiO₂、Si₃N₄、SiC、SiON、Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、低 k 介质、高 k 介质
材料形态
高纯靶材、前驱体液体、前驱体气体、陶瓷靶材、复合靶材
适用工艺
PVD、CVD、ALD、PECVD、LPCVD、磁控溅射、反应溅射
薄膜厚度
1nm ~ 5μm
介电常数范围
低 k：2.0 ~ 3.9；常规：3.9 ~ 7.0；高 k：7.0 ~ 30 以上
绝缘电阻率
10¹² ~ 10¹⁸ Ω·cm
适用衬底
硅片、SOI、SiC/GaN、金属薄膜、氧化硅、氮化硅、玻璃、PI 封装基底
击穿电场强度
1 ~ 10 MV/cm
合作品牌
【杜邦 Dupont】
推出 S1800、SPR 系列光刻胶，CYCLOTENE BCB 键合介质薄膜，绝缘低应力，适配微纳封装、晶圆键合；配套光刻工艺材料，广泛用于半导体、MEMS 器件加工。
【美国 Futurrex】
主营光刻胶、SOG 旋涂玻璃、SOD 旋涂掺杂介质膜与临时保护层，介质膜平坦化性能突出，适配电子束、紫外光刻，服务微流控、芯片研发制程。
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应用领域
先进逻辑与存储芯片
用于栅介质、层间绝缘、器件隔离、钝化层和抗反射层制备。
功率半导体器件
用于 SiC/GaN 器件栅极绝缘、表面钝化、高压隔离和防潮保护。
先进封装制程
用于 RDL 绝缘层、晶圆级封装钝化层、应力调控层和保护层。
射频与化合物半导体
用于器件钝化、绝缘隔离、抗反射层和表面保护层。
科研微纳加工平台
用于新工艺研发、器件试样、薄膜堆叠结构和实验室工艺验证。
分立器件与模拟芯片
用于结隔离、表面钝化、耐压提升和器件可靠性保护。
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