品类概述
双氧水（过氧化氢，H₂O₂）是半导体制造中用量最大的湿法化学品，
凭借其强氧化性与分解产物仅为水和氧气的清洁特性，在晶圆清洗、表面处理及精密蚀刻工艺中不可替代。
该品类以超高纯度电子级产品为核心，金属杂质控制在ppb乃至ppt级别，
广泛应用于RCA标准清洗（SC-1/SC-2）、CMP后清洗、光刻胶剥离及硅表面氧化等关键工序。
随着制程节点向3nm及以下推进，对双氧水纯度的要求从ppb级向ppt级演进，
先进制程晶圆厂已成为推动超高纯双氧水需求增长的核心力量。
核心特征
- 超强氧化能力 —— 过氧键(-O-O-)提供高效氧化作用，有效去除有机污染物及金属杂质
- 清洁分解产物 —— 分解仅生成H₂O和O₂，无有害残留，符合超净工艺要求
- 清洁分解产物 —— 分解仅生成H₂O和O₂，无有害残留，符合超净工艺要求
- 严格颗粒控制 —— 经0.05~0.2μm级过滤器过滤，满足ISO Class 1~5洁净灌装标准
- 批次一致性 —— 先进纯化工艺保障金属杂质与TOC的批次间稳定性
代理品牌
【默克】
全球领先的半导体湿法化学品供应商，旗下INTEROX®系列电子级双氧水覆盖从EG-10到PicoPlus全纯度等级，金属杂质控制达＜0.01 ppb，服务先进逻辑、DRAM及3D-NAND等全系列半导体应用
【美国 Transene】
Transene 配套供应半导体低金属高纯双氧水（30%-32% 电子级），适配晶圆清洗、光刻前氧化蚀刻工艺，同时经营蚀刻液、电镀液、各类微电子湿化学品，满足微纳加工洁净制程需求。
应用领域
晶圆RCA清洗
SC-1(NH₄OH/H₂O₂/H₂O)去除颗粒与有机物，SC-2(HCl/H₂O₂/H₂O)去除金属离子
CMP后清洗
抛光后晶圆表面的磨料与金属残留物清除
硅表面氧化
生成高质量自然氧化层，作为栅极介质的界面预处理
光刻胶剥离
配合硫酸或有机碱剥离光刻胶及残留物
刻蚀工艺
与氢氟酸、硫酸等配伍实现SiO₂等介质膜的精密刻蚀
印制电路板
PCB微蚀刻与粗化处理
**注：因产品迭代优化，网站展示参数可能存在微调，产品/设备的真实性能及各项技术参数以实际确认、交付为准。