品类概述
金属刻蚀气体与化学品是芯片金属互连制程专用蚀刻材料，覆盖先进逻辑存储、功率半导体、先进封装全流程金属图形化工序。干法刻蚀依托氯基、氟基高纯特种气体，在等离子腔体实现各向异性垂直精细刻蚀；湿法刻蚀依靠缓冲酸碱药液，完成大面积金属去除、残胶与多余金属剥离。
材料严格控制金属与氧化硅、氮化硅介质之间的刻蚀选择比，规避底层绝缘层过腐蚀、侧壁钻蚀、金属短路等缺陷，适配 7nm 至微米级全制程节点；广泛用于多层金属布线、钨接触孔、阻挡层、RDL 重布线、功率器件电极加工，刻蚀均匀度与表面洁净度直接决定芯片漏电、导通性能与量产良率。
核心特征
- 超高刻蚀选择比：对金属蚀刻速率高，对 SiO₂、Si₃N₄介质腐蚀速率极低，保护底层绝缘结构
- 可控各向异性刻蚀：干法气体形成垂直侧壁，无横向钻蚀，适配窄线宽精细图形
- 低表面离子残留：蚀刻后无金属残渣、微量杂质可控至 ppb 级，降低器件漏电风险
- 广谱材质兼容：一套耗材体系覆盖 Cu/Al/W/Ti/Co 多种金属及复合阻挡薄膜
- 低制程损伤：温和配方不破坏光刻胶掩膜、高低 k 介质、SiC/GaN 宽禁带衬底
技术参数
参数项
典型范围
适配金属薄膜
Cu、Al、W、Ti、Ta、Co、Ni、TiN、TaN 金属阻挡合金
产品形态
高纯特种电子气体、金属蚀刻液、剥离液、中和清洗试剂
干法刻蚀主流气体
Cl₂、BCl₃、SF₆、CF₄、Ar、N₂高纯工艺气体
湿法药液体系
缓冲磷酸体系、过氧化氢酸性蚀刻液、碱性金属剥离液
金属 / 介质刻蚀选择比
5:1 ~ 200:1（可按工艺配方调节）
刻蚀速率区间
湿法：50 ~ 1000 nm/min；干法：5 ~ 100 nm/min
金属离子杂质含量
≤10 ppb（电子级高纯规格）
适配衬底
硅片、SOI、SiC/GaN、氧化硅、氮化硅、PI 封装基底
储存条件
气体钢瓶阴凉避光密封；化学品 2~25℃避光储罐，防潮防挥发
工艺温度区间
干法腔体室温～200℃；湿法常温～80℃温控喷淋 / 浸泡
合作品牌
【默克默克】
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应用领域
先进逻辑 / 存储芯片
多层铜铝互连、钨接触孔、Ti/Ta 阻挡层精细干法刻蚀
功率半导体器件
SiC/GaN 栅极金属、欧姆接触电极湿法蚀刻、多余金属剥离
先进封装制程
2.5D/3D 封装、RDL 重布线金属层、UBM 凸点基底图形刻蚀
射频 & 化合物半导体
GaAs 射频器件金属电极、屏蔽层精密蚀刻工艺
光掩模与分立器件
光掩模金属遮光层、三极管接触金属蚀刻成型
科研微纳加工平台
实验室金属薄膜试样、新型互连材料刻蚀工艺研发验证。
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