品类概述
光刻胶是半导体光刻工艺中不可或缺的核心感光高分子材料，也是决定芯片图形精度、线宽稳定性、工艺良率的关键耗材。产品主要由感光树脂、光敏剂、溶剂、助剂配比组成，经涂胶、烘干、曝光、显影、刻蚀剥离整套流程，将掩模版电路图案精准转移至晶圆基板表面。
核心特征
- 全场景品类覆盖：薄胶精细制程、厚胶功率制程、微纳科研制程、先进封装制程全系列覆盖，可按需选型匹配不同工艺节点
- 成膜均匀性优异：适配全自动涂胶显影设备与手动涂布工艺，胶面平整、无针孔、无橘皮，整片晶圆膜厚偏差极小
- 高分辨率与图形精度：线条边缘粗糙度低、图形保真度高，可稳定实现微米至纳米级精密图形转移，保障制程精度。
- 强基材适配性：对硅片、氧化硅、氮化硅、金属膜、SiC/GaN宽禁带基材附着力优异，不易出现脱胶、翘边、浮胶问题。
- 耐工艺稳定性强：具备良好的耐干法/湿法刻蚀、耐高温烘烤、耐离子注入性能，工艺兼容性高，适配多工序叠加制程。
技术参数
参数项
典型范围
适用光源
G线、I线、KrF、电子束
可实现膜厚区间
0.5μm～100μm
最小解析线宽
500nm～0.1μm（依型号梯度）
适配基材
硅晶圆、SiC/GaN、玻璃、氧化硅、金属薄膜
固化温度区间
90℃～180℃（软烘/硬烘适配）
储存条件
2～25℃避光密封冷藏，无尘洁净环境存放
应用等级
科研级、中试级、量产级
合作品牌
【杜邦 Dupont】
美国头部光刻材料企业，覆盖 G/I 线、KrF、ArF、EUV 全波段光刻胶，配套 BARC、SOC 及光刻辅材。拥有环保无氟光刻胶与 3nm EUV 胶核心技术，适配逻辑、存储、功率芯片量产，全球建有量产基地，为高端晶圆厂提供全套光刻材料方案。
【默克 MERCK】
德国综合电子材料厂商，收购 AZ 后拥有成熟制程光刻胶全系列，同时深耕电子束、HSQ 无机特种光刻胶。配套剥离、清洗全套化学品，优势覆盖先进封装、MEMS、量子芯片微纳加工，兼顾产线量产与科研试制场景。
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应用领域
逻辑/存储芯片制造
28nm及以上成熟制程、微米级量产制程电路图形光刻、多层薄膜图形化工艺。
功率半导体制造
SiC、GaN、IGBT、MOSFET厚胶光刻、高压器件绝缘图形、电极图形制备。
先进封装制程
晶圆级封装、TSV通孔、RDL重布线、凸点制作、钝化层开窗光刻工艺。
MEMS/光电子器件
传感器微纳结构、光学镀膜图形、微流控芯片、精密光电器件图形加工。
科研院校研发
微纳加工平台、二维半导体、纳米器件、精密光刻实验与新工艺验证。
中小批量中试产线
新工艺迭代、样品试制、工艺参数调试、国产耗材替代验证。
**注：因产品迭代优化，网站展示参数可能存在微调，产品/设备的真实性能及各项技术参数以实际确认、交付为准。